上一章光谷薄膜說完了內(nèi)建自測(cè)試技術(shù)?其實(shí)集成電路自測(cè)特征分析通常作為多種測(cè)試方法的補(bǔ)充?涵蓋電路內(nèi)部和功能方面的測(cè)試?同時(shí)還應(yīng)用于數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)?它并非一種獨(dú)立的測(cè)試技術(shù)?而是與其他測(cè)試方法相結(jié)合?數(shù)據(jù)壓縮是在特征分析器中實(shí)現(xiàn)的，通過在電路控制的時(shí)序窗口內(nèi)?對(duì)每個(gè)電路時(shí)鐘周期進(jìn)行采樣?將作為數(shù)據(jù)輸入的邏輯測(cè)試點(diǎn)?特征分析器內(nèi)通常有一個(gè)16位反饋移位寄存器?根據(jù)之前與數(shù)據(jù)相關(guān)的寄存器反饋條件?數(shù)據(jù)可以以真值的補(bǔ)碼形式進(jìn)入?

在一個(gè)測(cè)試窗口中?一個(gè)16位寄存器總共有65536種可能的狀態(tài)?這些狀態(tài)經(jīng)編碼后以4位十六進(jìn)制數(shù)表示?即“特征”?每個(gè)“特征”代表一個(gè)特定電路節(jié)點(diǎn)在指定測(cè)試間隔中與時(shí)間相關(guān)的邏輯行為?任何該特定電路節(jié)點(diǎn)行為上的改變都會(huì)產(chǎn)生一個(gè)新的“特征”?用于指示可能的不正常電路功能?因此?一個(gè)節(jié)點(diǎn)上的邏輯狀態(tài)改變需要產(chǎn)生一個(gè)有意義的“特征”?根據(jù)所選擇的壓縮算法?超過65536個(gè)時(shí)鐘周期的測(cè)試間隔還可以產(chǎn)生有效的重復(fù)“特征”?

在開始?結(jié)束以及時(shí)鐘信號(hào)有效時(shí)?串行數(shù)據(jù)會(huì)進(jìn)入該寄存器?只要對(duì)該移位寄存器產(chǎn)生了足夠多的測(cè)試圖形?剩余部分就能唯一地定義節(jié)點(diǎn)的狀態(tài)和時(shí)間信息?

集成電路自測(cè)特征分析具有以下優(yōu)點(diǎn)：高速測(cè)試；快速生成程序；大量響應(yīng)數(shù)據(jù)可壓縮；適用于大規(guī)模生產(chǎn)測(cè)試?然而?特征分析也存在一些應(yīng)用限制：在進(jìn)行可測(cè)性設(shè)計(jì)時(shí)必須非常仔細(xì)考慮；在反饋循環(huán)和總線結(jié)構(gòu)中?診斷方法較少?

本次光谷薄膜關(guān)于內(nèi)建自測(cè)試技術(shù)就到這里了?后面我們會(huì)繼續(xù)分析集成電路測(cè)試相關(guān)內(nèi)容?感謝大家關(guān)注！