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引言在集成電路制造過程中，氧化工藝是形成高質量二氧化硅（SiO?）薄膜的關鍵步驟。隨著技術的不斷發(fā)展 ...

磁性材料或易受磁場影響的材料或器件，需要處于零磁場中測試。冷熱臺可利用磁屏蔽材料實現無磁場干擾下，進 ...

金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術作為氮化物材料外延生長的核心工藝，在LED、激光二極管等光電器 ...

在MOCVD工藝中，外延薄膜的生長速率與溫度存在高度非線性關系，且溫度波動會直接影響薄膜的均勻性和結 ...

溫度均勻性在光刻工藝中的烘烤固化過程中至關重要，它直接影響光刻膠的固化質量和最終的圖案質量。溫度曲線 ...

2025年4月26日上午，西安石油大學理學院黨委書記席利哲一行蒞臨光谷薄膜，開展本科人才培養(yǎng)方案調研 ...

氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN-HEMT）因其優(yōu)異的耐高溫、高頻、高功率特性，在射頻通信、功率電子 ...

4月23日，2025九峰山論壇暨化合物半導體產業(yè)博覽會在光谷國際會展中心盛大開幕。作為國內化合物半導 ...

針對半導體器件在γ射線輻照環(huán)境下的低溫穩(wěn)定性問題，嘉儀通采用液氮低溫恒溫器，結合精密源表與鈷源輻照裝 ...

材料的發(fā)光特性隨溫度的變化規(guī)律是揭示其光物理機制、優(yōu)化性能的重要依據。嘉儀通高精度控溫冷熱臺與光纖/ ...