2025.8.26日，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所何力博士到訪我司，交流用于先進(jìn)制程退火工藝。分享了通過退火開展半導(dǎo)體材料超固溶度摻雜研究，為先進(jìn)制程晶體管、光電子材料及器件制備等提供有效支撐。

隨著半導(dǎo)體制造工藝進(jìn)入14納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)，傳統(tǒng)退火技術(shù)已難以滿足“毫秒級升至1200℃”的苛刻要求。激光退火（Laser Annealing）與閃光燈退火（Flash Lamp Annealing, FLA）因其快速、低溫預(yù)算、高效摻雜激活等優(yōu)勢，成為先進(jìn)制程的關(guān)鍵工藝裝備。

然而，該類設(shè)備長期被國外企業(yè)壟斷，并對中國實(shí)施嚴(yán)格禁運(yùn)，成為制約我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”環(huán)節(jié)。在此背景下，何力博士團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的閃光燈退火樣機(jī)成功實(shí)現(xiàn)脈沖寬度8毫秒、樣品尺寸2×2厘米的閃光退火實(shí)驗(yàn)，初步驗(yàn)證了國產(chǎn)FLA設(shè)備的可行性。

光谷薄膜作為在半導(dǎo)體工藝與檢測裝備領(lǐng)域具有深厚技術(shù)積累的創(chuàng)新企業(yè)，高度重視與中科院半導(dǎo)體所的合作機(jī)會(huì)。公司表示，將積極發(fā)揮其在設(shè)備工程化、系統(tǒng)集成、市場轉(zhuǎn)化等方面的優(yōu)勢，共同推動(dòng)閃光燈退火技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化落地，助力打破國外技術(shù)壟斷。

此次交流不僅是一次技術(shù)匯報(bào)，更是“產(chǎn)-學(xué)-研”協(xié)同創(chuàng)新模式的生動(dòng)實(shí)踐。雙方將繼續(xù)深化合作，加速推進(jìn)國產(chǎn)FLA裝備的研發(fā)與應(yīng)用，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控與戰(zhàn)略安全提供堅(jiān)實(shí)支撐。