在半導(dǎo)體材料研究中，高阻材料（如SiC、GaN 等寬禁帶半導(dǎo)體、絕緣層材料）的電學(xué)特性測試一直是難點。這類材料在常溫下電阻極高，而低溫環(huán)境更能凸顯其本征電學(xué)性能 ——但精準捕捉低溫下的高阻信號，離不開穩(wěn)定的溫控與測試環(huán)境。冷熱臺，正是破解這一難題的核心設(shè)備。

下面是某企業(yè)所利用該方案測定不同溫度下半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能

武漢光谷薄膜冷熱臺憑借三大核心優(yōu)勢，成為半導(dǎo)體高阻材料測試的可靠選擇：

1. 寬溫域精準控溫，覆蓋關(guān)鍵測試區(qū)間：

支持-196-600℃溫度范圍調(diào)節(jié)，溫度穩(wěn)定性達±0.1℃。避免溫度漂移對高阻信號的干擾。無論是研究材料在極低溫下的絕緣特性，還是觀察變溫過程中的電阻突變，都能精準捕捉。

2. 快速更換樣品臺：

僅需卸裝4顆螺絲即可打開產(chǎn)品上蓋，5 分鐘即可快速完成樣品臺的更換。

3. 靈活兼容，適配多樣測試場景：

樣品臺支持薄片、晶圓等多種形態(tài)的半導(dǎo)體材料，兼容四探針、霍爾測試等常用電學(xué)測試模式。無論是高校實驗室的基礎(chǔ)研究，還是半導(dǎo)體企業(yè)的器件篩選，都能快速集成到測試鏈路中。