氧化鎵（Ga?O?）作為新興的寬帶隙半導體材料，憑借其超高的擊穿電場強度、優(yōu)異的耐高溫性能以及出色的紫外光響應(yīng)特性，正成為高功率電子器件、深紫外光電器件等領(lǐng)域的研發(fā)熱點。精準測試其電學特性（如載流子濃度、遷移率、電阻率等），也是材料研究與器件優(yōu)化的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。  

上海大學研究團隊通過霍爾效應(yīng)測試，對不同Ta摻雜濃度的氧化鎵薄膜進行了系統(tǒng)化測試。通過精準獲取載流子濃度與遷移率數(shù)據(jù)，團隊成功建立了摻雜濃度與電學性能的關(guān)聯(lián)模型，為高性能氧化鎵器件的設(shè)計與工藝優(yōu)化提供了關(guān)鍵支撐！  

針對薄膜材料的特殊需求，霍爾效應(yīng)測試通過范德堡法，可快速、準確地測定以下核心參數(shù)：  

電阻率——揭示材料導電性能；

霍爾系數(shù)——判斷載流子類型（N/P型）；

載流子濃度——評估摻雜效率；

遷移率——評估材料電荷傳輸能力；

方阻——為器件工藝優(yōu)化提供依據(jù)；

無論是對輕摻雜還是重摻雜的Ga?O?，霍爾測試均能提供穩(wěn)定、重復性高的測試結(jié)果，助力科研團隊突破材料性能瓶頸。