隨著新型納米材料在電子器件、傳感器等領域的廣泛應用，精確表征材料在不同環(huán)境下的介電性能成為研究關鍵。我們基于冷熱臺HCS與阻抗分析儀的聯(lián)用技術，能實現(xiàn)測試氧化石墨烯薄膜的介電常數(shù)隨溫度變化的規(guī)律，揭示其介電性能的溫度依賴性機制。

HCS冷熱臺憑借其寬溫區(qū)和高精度溫控能力，為介電測試提供了穩(wěn)定的溫度環(huán)境。其智能化設計解決了傳統(tǒng)變溫裝置體積龐大、液氮填充頻繁的痛點，通過磁屏蔽結(jié)構優(yōu)化和自動液氮補給系統(tǒng)，實現(xiàn)了與阻抗分析儀的無縫聯(lián)用。

實驗過程中，氧化石墨烯薄膜樣品被固定于平行板電極間，通過冷熱臺溫度梯度循環(huán)同步采集介電常數(shù)（ε'）相關數(shù)據(jù)。通過循環(huán)變溫測試，成功復現(xiàn)了柔性電子器件在極端環(huán)境下的介電性能衰減規(guī)律，測得介電常數(shù)漂移量，證明材料的結(jié)構穩(wěn)定性。

冷熱臺聯(lián)用阻抗分析儀技術為二維材料介電研究提供了高精度、寬溫區(qū)的測試方案。本研究不僅闡明了氧化石墨烯的介電機理，更為設計溫度自適應介電功能材料奠定了實驗基礎。未來可結(jié)合原位拉曼光譜，進一步揭示微觀結(jié)構與宏觀介電性能的構效關系。