在半導(dǎo)體材料的研究進(jìn)程中，精確測(cè)定不同溫度下半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)，對(duì)深入探究其內(nèi)在性能至關(guān)重要。中科院半導(dǎo)體所也有聚焦于寬禁帶半導(dǎo)體的研究，需要掌握這類材料在不同溫度環(huán)境下的磁電特性。

起初，中科院半導(dǎo)體所配備的 LakeShore霍爾設(shè)備僅能實(shí)現(xiàn)常溫環(huán)境下的霍爾效應(yīng)測(cè)試。隨著科研工作的深入推進(jìn)，也對(duì)變溫環(huán)境下的測(cè)試有迫切需求。

我們精心打造了適配7900G永磁體的樣品臺(tái)組件，對(duì)原有的測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)。通過這一升級(jí)，該測(cè)試系統(tǒng)成功實(shí)現(xiàn)了變溫環(huán)境下霍爾效應(yīng)的測(cè)量。

此次與常溫霍爾測(cè)試儀聯(lián)用，液氮低溫恒溫器發(fā)揮了關(guān)鍵作用。它不僅營(yíng)造出寬溫區(qū)且高精準(zhǔn)度的溫度環(huán)境，還通過定制化設(shè)計(jì)的真空樣品腔室，滿足了客戶對(duì)磁場(chǎng)間距的嚴(yán)格要求。

最終中科院半導(dǎo)體所成功獲取了變溫下的載流子濃度數(shù)據(jù)。使得科研人員能夠清晰洞察材料在不同溫度下磁電性能的變化規(guī)律，為寬禁帶半導(dǎo)體的進(jìn)一步研究和應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)支撐。